Germanium (CN)

게르마늄은 주로 아연 광석 처리의 부산물로 회수되는 광택 있는 취성 준금속이며, 소량은 석탄 비회 처리에서도 얻어집니다. 연간 전 세계 생산량은 약 130~150톤으로, 산업적으로 가장 희귀한 원소 중 하나입니다. 중국의 아연 제련 지배력은 전 세계 정제 게르마늄 생산량의 약 60%로 이어지며, 나머지는 주로 러시아, 캐나다, 벨기에에서 생산됩니다. 반도체 제조에서 게르마늄의 가장 전략적인 용도는 실리콘-게르마늄(SiGe) 이종접합 바이폴라 트랜지스터(HBT)입니다. 에피택셜 성장 과정에서 얇은 변형 SiGe 층을 도입함으로써 파운드리는 순수 실리콘으로는 달성할 수 없는 트랜지스터 스위칭 속도를 실현할 수 있으며, 이는 5G 모뎀과 RF 프런트엔드의 고주파 아날로그 회로에 필수적입니다. TSMC와 Samsung Foundry는 모두 첨단 노드에서 SiGe 공정 모듈을 사용합니다. Applied Materials는 이 SiGe 박막을 증착하는 전용 CVD 에피택시 반응기를 공급합니다. 이산화게르마늄(GeO₂)과 사염화게르마늄(GeCl₄)도 실리카 광섬유 프리폼의 중요한 전구체입니다. AI 칩 생산과의 직접적인 연관은 덜하지만, 이러한 용도는 게르마늄을 데이터센터 연결을 뒷받침하는 통신 인프라와 연결시킵니다. 갈륨 규제와 동시에, 중국은 2023년 8월 1일부터 게르마늄 금속, GeO₂, 게르마늄 에피택셜 성장 웨이퍼 등 6개 게르마늄 관련 품목에 수출 허가증 요건을 적용하였습니다. 게르마늄의 최종 용도가 반도체와 광자공학의 이중적 성격을 띠어 최종 사용자 인증이 복잡해집니다. 게르마늄 전구체에 의존하는 칩 제조업체와 장비 공급업체들에게 이 규제는 조달 불확실성을 가져왔고, 캐나다, 벨기에, 러시아 생산업체로의 다각화 노력을 가속화하였습니다. 단, 러시아 공급은 그 자체로 지정학적 위험을 수반합니다.