Tungsten (CN)

텅스텐은 모든 원소 중 가장 높은 녹는점(3,422°C)을 가진 치밀하고 단단한 전이 금속입니다. 주로 철망간중석(wolframite)과 백텅스텐광(scheelite) 광석에서 채굴되며, 중국은 전 세계 채굴 생산량의 약 80%와 파라텅스텐산암모늄(APT) 및 텅스텐 분말 등의 중간 제품으로의 가공에서는 더욱 높은 비율을 장악하고 있습니다. 반도체 제조에서 텅스텐의 주요 역할은 CMOS 로직 회로에서의 콘택트 및 비아 충전 금속입니다. 선단 노드에서 육불화텅스텐(WF₆)은 화학 기상 증착(CVD)의 전구체 가스로 사용되어, 실리콘 기판의 트랜지스터와 제1 금속 인터커넥트 층(M0 또는 로컬 인터커넥트)을 연결하는 좁은 수직 콘택트 홀을 채웁니다. 텅스텐의 높은 녹는점, 콘택트 치수에서의 낮은 저항률, 실리콘 공정과의 호환성 덕분에 이 용도에서 사실상 대체가 불가능합니다. Applied Materials는 텅스텐 CVD 공정 장비의 주요 공급사이며, TSMC, Samsung, Intel 등 모든 주요 로직 파운드리가 Applied Materials의 W-CVD 시스템을 사용합니다. 텅스텐은 또한 반도체 장비 제조사의 정밀 기계 부품에 사용되는 경면 처리 및 공구 소재, 그리고 특정 계측·검사 시스템의 X선 차폐재로도 널리 활용됩니다. 중국의 텅스텐 지배력은 광범위한 핵심 광물 관리 전략의 일환으로 도입된 수출 허가 요건을 통해 더욱 강화되고 있습니다. 갈륨과 게르마늄(2023년 통제가 반도체 공급망과 명시적으로 연계됨)과 달리, 텅스텐 수출 통제는 중국의 전략 광물 일반 규제로 거슬러 올라가는 더 오랜 역사를 가지고 있습니다. 일본, 한국, 오스트리아(Plansee Group을 통해) 등 비중국 생산자들이 생산 능력 확대에 나서고 있으나, APT 가공에서 중국의 비용 우위는 여전히 상당합니다.