SMEE

Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd.

设备🇨🇳 中国瓶颈节点非上市
smee.com.cn

核心产品

SSA600系列DUV步进/扫描光刻机;裕量晟28nm级浸没式DUV(认证中)

瓶颈状态

国产最先进光刻技术目前量产上限为90nm;28nm浸没式DUV量产目标约2027年;10nm以下预计2030年前无法实现

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上海微电子装备(集团)股份有限公司(上海微电子装备;SMEE)于2002年在上海市政府和中国国家半导体装备战略下作为国有企业成立,肩负着建立国内光刻产业的明确使命。光刻——利用精确聚焦的光将电路图案投射到硅晶圆上的工艺——是芯片制造中技术要求最高的单一工序,二十年来荷兰ASML一家公司一直对先进逻辑芯片所需的极紫外(EUV)设备保持着事实上的全球垄断。SMEE是中国建立替代方案的唯一认真尝试,无论今天这一前景看起来多么遥远,它仍然是中国最终缩小这一差距的唯一希望。 SMEE与ASML之间的技术差距十分显著。SMEE的主力"600系列"深紫外(DUV)光刻机正在90纳米节点——ASML自身在2000年代初就已实现商业化的工艺世代——量产,而28纳米级浸没式DUV机型已研发多年。ASML自2018年起供应的EUV光刻——若不采用极端多重曝光的变通方案,7纳米及以下的任何逻辑工艺都需要它——对SMEE而言仍然完全遥不可及:该设备需要掌握等离子体产生的13.5纳米波长光源、精度达到原子级公差的多层镜光学系统,以及ASML、蔡司和Cymer耗费二十余年、合计数百亿美元研发投入才臻于完善的真空光罩处理系统。正是这一差距解释了为何光刻是整个半导体供应链中管制最严格的设备类别:荷兰、日本和美国专门协调出口许可,将EUV以及日益先进的DUV设备挡在中国之外,其理论依据是:如果中国无法购买或制造该设备,无论在产业链其他环节取得多大进展,都无法制造出相应芯片。 华盛顿于2022年12月正式将SMEE列入美国实体清单,理由是其获取美国原产物项以支持中国军事现代化,并适用实体清单中最严格一档的推定拒绝许可审查政策。此次列入似乎催化了一场重大的企业重组,而非仅仅将SMEE冻结在原地。2025年2月,SMEE将其前端光刻研发业务剥离到新子公司上海育朗晟科技,业内报道将其与华为的国产半导体装备计划"SiCarrier"紧密联系在一起。育朗晟——据报道以内部代号"珠峰"研发其DUV光刻机——目前正在测试据称是中国首台国产研制的28纳米级浸没式DUV光刻系统,并已直接安装在中芯国际进行评估。跟踪该项目的分析师预计该系统最早可能在2027年于中芯国际28纳米节点实现量产,但警告称,将该光刻机重新设计以适用于16纳米乃至最终7纳米级节点所需的多重曝光方案,可能要到2030年或以后才能实现——这提醒人们,即便28纳米DUV设备取得成功,距离威胁ASML在先进制程上的垄断地位仍有数个制程世代和数年工程之遥。 另外,在一场2025年首次报道、延续至2026年1月的重组中,SMEE将其后端(光刻之后)封装设备资产剥离给一家新独立的商业化实体AMIES科技——值得注意的是,该公司本身并未与其母公司一样被纳入相同的实体清单限制。AMIES在此过程中迅速获得了SMEE数千项专利以及至少两家SMEE子公司,到2025年末,TrendForce的报道认为AMIES的先进封装光刻设备已占据中国国内封装光刻相关细分市场约90%的份额,以及同等全球细分市场高达35%的份额——这是一个不同于完整前端光刻机的细分领域,覆盖用于芯片封装和重布线层图案化的步进机,而非最先进的逻辑芯片印刷。AMIES于2025年8月出货第500台步进系统,证明这一分拆战略已如预期般发挥作用:将商业上可行、出口敏感度较低的封装光刻业务与受到严厉制裁的前端光刻机业务隔离开来。 由此形成的企业结构确实相当分散,也容易混淆:SMEE仍是国有母公司,也是实际被列入实体清单的实体,继续负责前端光刻的战略与监督;上海育朗晟是与华为/SiCarrier相关联的子公司,负责目前正在中芯国际测试的前沿DUV光刻机工程;而AMIES则是单独商业化的后端封装设备分拆企业,其结构似乎旨在运作于SMEE直接制裁风险敞口之外。综合来看,这一三方结构既体现了中国光刻自给自足推进的认真程度,也揭示了其局限性:在封装和成熟节点DUV层面取得了实质但渐进的进展,通过刻意的企业架构设计来规避出口管制,但依然没有通向EUV的可信路径——而这一瓶颈将在可预见的未来使中国最先进的逻辑芯片继续依赖海外代工。

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关于该公司

QSMEE的主要产品是什么?

中国国有光刻机龙头,是国内最接近ASML的企业;600系列DUV光刻机已在90nm量产;与华为SiCarrier计划相关的分拆企业上海裕量晟正在中芯国际测试中国首台国产28nm级浸没式DUV光刻机

主要产品 SSA600系列DUV步进/扫描光刻机;裕量晟28nm级浸没式DUV(认证中)

国产最先进光刻技术目前量产上限为90nm;28nm浸没式DUV量产目标约2027年;10nm以下预计2030年前无法实现