SMEE

Shanghai Micro Electronics Equipment (Group) Co., Ltd.

設備🇨🇳 中國瓶頸節點非上市
smee.com.cn

核心產品

SSA600系列DUV步進/掃描光刻機;裕量晟28nm級浸沒式DUV(認證中)

瓶頸狀態

國產最先進光刻技術目前量產上限為90nm;28nm浸沒式DUV量產目標約2027年;10nm以下預計2030年前無法實現

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上海微電子裝備(集團)股份有限公司(上海微電子裝備;SMEE)於2002年在上海市政府和中國國家半導體裝備戰略下作為國有企業成立,肩負著建立國內微影產業的明確使命。微影——利用精確聚焦的光將電路圖案投射到矽晶圓上的工藝——是晶片製造中技術要求最高的單一工序,二十年來荷蘭ASML一家公司一直對先進邏輯晶片所需的極紫外(EUV)設備保持著事實上的全球壟斷。SMEE是中國建立替代方案的唯一認真嘗試,無論今天這一前景看起來多麼遙遠,它仍然是中國最終縮小這一差距的唯一希望。 SMEE與ASML之間的技術差距十分顯著。SMEE的主力「600系列」深紫外(DUV)微影機正在90奈米節點——ASML自身在2000年代初就已實現商業化的製程世代——量產,而28奈米級浸沒式DUV機型已研發多年。ASML自2018年起供應的EUV微影——若不採用極端多重曝光的變通方案,7奈米及以下的任何邏輯製程都需要它——對SMEE而言仍然完全遙不可及:該設備需要掌握電漿產生的13.5奈米波長光源、精度達到原子級公差的多層鏡光學系統,以及ASML、蔡司和Cymer耗費二十餘年、合計數百億美元研發投入才臻於完善的真空光罩處理系統。正是這一差距解釋了為何微影是整個半導體供應鏈中管制最嚴格的設備類別:荷蘭、日本和美國專門協調出口許可,將EUV以及日益先進的DUV設備擋在中國之外,其理論依據是:如果中國無法購買或製造該設備,無論在產業鏈其他環節取得多大進展,都無法製造出相應晶片。 華盛頓於2022年12月正式將SMEE列入美國實體清單,理由是其獲取美國原產物項以支持中國軍事現代化,並適用實體清單中最嚴格一檔的推定拒絕許可審查政策。此次列入似乎催化了一場重大的企業重組,而非僅僅將SMEE凍結在原地。2025年2月,SMEE將其前端微影研發業務剝離到新子公司上海育朗晟科技,業內報道將其與華為的國產半導體裝備計劃「SiCarrier」緊密聯繫在一起。育朗晟——據報道以內部代號「珠峰」研發其DUV微影機——目前正在測試據稱是中國首台國產研製的28奈米級浸沒式DUV微影系統,並已直接安裝在中芯國際進行評估。追蹤該項目的分析師預計該系統最早可能在2027年於中芯國際28奈米節點實現量產,但警告稱,將該微影機重新設計以適用於16奈米乃至最終7奈米級節點所需的多重曝光方案,可能要到2030年或以後才能實現——這提醒人們,即便28奈米DUV設備取得成功,距離威脅ASML在先進製程上的壟斷地位仍有數個製程世代和數年工程之遙。 另外,在一場2025年首次報導、延續至2026年1月的重組中,SMEE將其後端(微影之後)封裝設備資產剝離給一家新獨立的商業化實體AMIES科技——值得注意的是,該公司本身並未與其母公司一樣被納入相同的實體清單限制。AMIES在此過程中迅速獲得了SMEE數千項專利以及至少兩家SMEE子公司,到2025年末,TrendForce的報導認為AMIES的先進封裝微影設備已佔據中國國內封裝微影相關細分市場約90%的份額,以及同等全球細分市場高達35%的份額——這是一個不同於完整前端微影機的細分領域,涵蓋用於晶片封裝和重佈線層圖案化的步進機,而非最先進的邏輯晶片印刷。AMIES於2025年8月出貨第500台步進系統,證明這一分拆戰略已如預期般發揮作用:將商業上可行、出口敏感度較低的封裝微影業務與受到嚴厲制裁的前端微影機業務隔離開來。 由此形成的企業結構確實相當分散,也容易混淆:SMEE仍是國有母公司,也是實際被列入實體清單的實體,繼續負責前端微影的戰略與監督;上海育朗晟是與華為/SiCarrier相關聯的子公司,負責目前正在中芯國際測試的前沿DUV微影機工程;而AMIES則是單獨商業化的後端封裝設備分拆企業,其結構似乎旨在運作於SMEE直接制裁風險敞口之外。綜合來看,這一三方結構既體現了中國微影自給自足推進的認真程度,也揭示了其局限性:在封裝和成熟節點DUV層面取得了實質但漸進的進展,通過刻意的企業架構設計來規避出口管制,但依然沒有通向EUV的可信路徑——而這一瓶頸將在可預見的未來使中國最先進的邏輯晶片繼續依賴海外代工。

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QSMEE的主要產品是什麼?

中國國有光刻機龍頭,是國內最接近ASML的企業;600系列DUV光刻機已在90nm量產;與華為SiCarrier計畫相關的分拆企業上海裕量晟正在中芯國際測試中國首台國產28nm級浸沒式DUV光刻機

主要產品 SSA600系列DUV步進/掃描光刻機;裕量晟28nm級浸沒式DUV(認證中)

國產最先進光刻技術目前量產上限為90nm;28nm浸沒式DUV量產目標約2027年;10nm以下預計2030年前無法實現