市場シェア
バッチ式ALD/CVD炉の約40%(NAND/DRAMで支配的)
主要製品
バッチ式熱ALD・CVD炉システム
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国際電気(東証: 6525)は2018年に日立国際電気からスピンアウトし、2019年にKKRが買収、2023年に東京証券取引所に再上場した。この軌跡は同社の技術の戦略的価値と日本の半導体装置セクターの統合を反映している。 同社はバッチ式熱処理装置を専門とする:縦型拡散炉・バッチ式ALD(原子層堆積)システム・バッチ式CVD(化学気相成長)炉。枚葉式ツール(反応チャンバーで1枚ずつ処理)とは異なり、バッチ炉は25〜100枚のウェハを縦型石英チューブで同時処理し、ウェハ1枚あたりの低コストで極めて均一な薄膜成膜を実現する。 バッチ炉ツールはNANDフラッシュのセル構造やDRAMのキャパシタ誘電体を形成する薄い酸化物・窒化物・高誘電率(High-k)薄膜の成膜に不可欠だ。NANDの層数が64L→176L→232Lと増加するにつれ、ウェハあたりのALD/CVD工程数も比例して増加し、国際電気の1デバイス世代あたりの収益が拡大している。DDR5・HBMへの移行が進むDRAMでも同様のダイナミクスが働く。 国際電気の顧客ベースはSKハイニックス・サムスンメモリ・マイクロン・YMTC・CXMTに及ぶ。中国のメモリファブへの供給により、2023年に米国商務省がYMTCへのバッチ炉ツール供給にエンティティリスト許可証が必要かどうかを検討する際、輸出管理審査の対象となった。同社はこれらの制限を慎重に対処し、旧世代の供給を一部維持しつつ次世代ツールの供給を制限している。 同社はバッチ炉分野でTELおよびアプライドマテリアルズと主に競合するが、縦型バッチALDでは特に強固な地位を持つ。この分野は各顧客のプロセスレシピとの深い統合により切り替えコストが高い。
関連企業
チップをタップして、その企業のチェーンをトレースする。
クリティカルパス — 原料シリコンから配備まで
最も依存度の高い単一ソース依存関係(順番通り)。
Kokusai Electricに影響する輸出規制
米国・オランダ・日本の半導体製造装置規制3カ国連携(2023年1月)
広範な外交交渉を経て、米国・オランダ・日本は2023年1月27日前後に半導体製造装置の輸出規制の枠組みを調整する非公式の多国間合意に達した。これを受けてオランダはASMLへのDUV輸出許可制度を導入し(2023年9月発効)、日本も先端ファブ装置23品目への規制を拡大した(2023年7月発効)。3カ国の連携により、先端チップ製造に必要な装置への中国のアクセスを制限する上での最大の抜け穴が封鎖された。従来は一国の規制であっても他国経由で迂回が可能だったためである。
▲ 12社が影響を受ける
日本半導体製造装置輸出規制(2023年7月)
経済産業省は2023年7月、先端半導体製造装置23品目に輸出許可証取得義務を課した。対象は最先端のリソグラフィ、エッチング、成膜、検査装置など——東京エレクトロン、信越化学工業、レーザーテックといった主要サプライヤーに直接影響する。米国・オランダの規制と連携することで、中国の先端チップ製造設備へのアクセスを制限する同盟国間の最後の抜け穴が塞がれた。
▲ 7社が影響を受ける
QKokusai Electricのサプライヤー企業は?
Kokusai ElectricはAIチップサプライチェーンで1社のサプライヤーに依存しています。
Graphite (CN) (半導体用坩堝・炉部品・SiC基板向けグラファイトの主要生産国)。
QKokusai Electricの主要製品・事業は?
NAND・DRAM製造に不可欠なバッチ式ALD・CVD炉システムの重要サプライヤー
主要製品 バッチ式熱ALD・CVD炉システム