CXMT

ChangXin Memory Technologies Co., Ltd.

記憶體(HBM)🇨🇳 中國
cxmt.com

市場份額

全球DRAM約1-2%

核心產品

DDR4和LPDDR4X DRAM(19nm級)

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長鑫存儲技術有限公司(CXMT)於2016年在中國安徽省合肥市成立。作為中國更廣泛推進本土記憶體半導體產業建設努力的一部分,公司獲得了合肥市政府及其他國家關聯基金的大量投資。 DRAM製造是技術要求最高的半導體製程之一:它需要對電容結構的嚴格管控、低於20nm半間距的字線圖案化,以及極為均勻的薄膜沉積——所有這些都在無法獲得EUV的情況下進行。長鑫存儲專注於在19nm級節點生產LPDDR4X(用於行動裝置)和DDR4(用於PC和伺服器),比三星和SK海力士落後大約兩到三代製程。 長鑫存儲的主要客戶是國內中國智慧型手機OEM和一些購買DRAM用於最終組裝的PC模組製造商。這一定位減少了中國在中低端消費電子領域對DRAM進口的依賴,但對於需要DDR5、LPDDR5和HBM的高性能運算、AI訓練負載和資料中心應用,長鑫存儲尚未生產具競爭力的產品。 與長江存儲不同,截至2025年中,長鑫存儲尚未被列入美國實體清單,但已引起美國政策制定者的關注,並受到最先進晶圓廠工具出口許可證要求的約束。包括信越化學在內的供應商的矽晶圓繼續流向長鑫存儲。公司的長期發展軌跡很大程度上取決於國內中國設備商能否供應縮小至15nm以下所需的先進圖案化工具——達到這一門檻將使長鑫存儲開始競爭主流伺服器DRAM插槽。

關聯企業

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關鍵路徑 — 從原料矽到部署

最緊張的單一來源依賴關係(按順序)。

影響CXMT的出口管制

中國鎵和鍺出口管制(2023年8月)

中國商務部和海關總署對鎵和鍺產品實施出口許可證制度,自2023年8月1日起生效。管制涵蓋8類鎵相關物項(含金屬鎵、氮化鎵、砷化鎵等)和6類鍺相關物項(含金屬鍺、二氧化鍺、鍺磊晶生長晶圓等)。出口商須向商務部申請許可證,並接受國家安全和防擴散方面的審查。中國約占全球鎵產量的80%和鍺產量的60%,使該管制成為全球半導體及化合物半導體供應鏈的直接槓桿。

13家公司受影響

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荷蘭EUV和DUV微影設備出口管制(2023年9月)

荷蘭外交部要求艾司摩爾(ASML)為其深紫外線(DUV)微影系統申請出口許可證,並擴大了對EUV系統的現有禁令。ASML是全球唯一的EUV設備製造商,該管控措施阻止中國獲取生產先進製程晶片所需的設備。該政策是與美國和日本的出口管制框架協調制定的。

12家公司受影響

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美國—荷蘭—日本半導體製造設備出口管制三邊協調(2023年1月)

經過廣泛外交談判,美國、荷蘭和日本於2023年1月27日前後就協調各自半導體設備出口管制框架達成非正式多邊協議。隨後,荷蘭對艾司摩爾(ASML)實施了DUV許可證要求(2023年9月生效),日本則將管制範圍擴展至23類先進晶圓廠設備(2023年7月生效)。三邊協調封堵了限制中國獲取先進製程晶片生產所需設備的最大漏洞——此前,任何一國的單邊限制均可透過其他國家加以規避。

12家公司受影響

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關於此公司

QCXMT的供應商有哪些?

CXMT在AI晶片供應鏈中依賴8個上游供應商。

ASML (EUV微影設備的唯一製造商)Shin-Etsu Chemical (全球最大的矽晶圓供應商)SUMCO (全球第二大矽晶圓供應商;與信越化學形成雙寡頭,控制全球約55%的供應量)Kokusai Electric (NAND和DRAM生產不可缺少的批量ALD和CVD爐系統關鍵供應商)Lam Research (領先的蝕刻與沉積設備供應商)及其他3家

QCXMT的主要產品是什麼?

中國領先的DRAM製造商,在無EUV條件下推進DDR4/DDR5成熟節點

主要產品 DDR4和LPDDR4X DRAM(19nm級)